型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: 功率二极管描述: Diode Schottky 40V 5A Powerdi533095+￥6.142525+￥5.687550+￥5.3690100+￥5.2325500+￥5.14152500+￥5.02785000+￥4.982310000+￥4.9140 -
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品类: 肖特基二极管描述: 2A 至 9A，Diodes Inc 超势垒整流器 (SBR) 二极管是下一代整流器。 与类似的肖特基二极管相比，这款两个接线端子的设备具有更低正向电压 (VF)，同时拥有 PN 外延二极管的热稳定性和高可靠性特性。 ### 二极管和整流器，Diodes Inc52725+￥4.131025+￥3.825050+￥3.6108100+￥3.5190500+￥3.45782500+￥3.38135000+￥3.350710000+￥3.3048 -
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品类: 肖特基二极管描述: 2A 至 40A，Diodes Inc ### 二极管和整流器，Diodes Inc31875+￥2.524525+￥2.337550+￥2.2066100+￥2.1505500+￥2.11312500+￥2.06645000+￥2.047710000+￥2.0196 -
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品类: 肖特基二极管描述: 300mA 至 1A，Diodes Inc 超势垒整流器 (SBR) 二极管是下一代整流器。 与类似肖特基二极管相比，该两端子设备具有较低的正向电压 (VF)。 同时具有 PN 外延二极管的热稳定性和高可靠性特征。 ### 二极管和整流器，Diodes Inc55065+￥1.809025+￥1.675050+￥1.5812100+￥1.5410500+￥1.51422500+￥1.48075000+￥1.467310000+￥1.4472 -
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品类: 齐纳二极管描述: 500mW，PD3Z284C 系列，Diodes Inc PowerDI®323 超小型表面安装封装 ### 齐纳二极管，Diodes Inc34765+￥1.552525+￥1.437550+￥1.3570100+￥1.3225500+￥1.29952500+￥1.27085000+￥1.259310000+￥1.2420 -
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品类: MOS管描述: TPCF8001 N沟道MOSFET 30V 7A vs-8 marking/标记 F2A 高速开关/低导通电阻64685+￥1.444525+￥1.337550+￥1.2626100+￥1.2305500+￥1.20912500+￥1.18245000+￥1.171710000+￥1.1556 -
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品类: MOS管描述: Silicon N Channel MOS Type (High Speed U−MOS)422810+￥0.837050+￥0.7936100+￥0.7626300+￥0.7440500+￥0.72541000+￥0.70682500+￥0.67895000+￥0.6727 -
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品类: 双极性晶体管描述:20105+￥5.022025+￥4.650050+￥4.3896100+￥4.2780500+￥4.20362500+￥4.11065000+￥4.073410000+￥4.0176 -
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品类: 双极性晶体管描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5350T/TO-236AB/REEL 11" Q3838610+￥0.945050+￥0.8960100+￥0.8610300+￥0.8400500+￥0.81901000+￥0.79802500+￥0.76655000+￥0.7595 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia86375+￥2.133025+￥1.975050+￥1.8644100+￥1.8170500+￥1.78542500+￥1.74595000+￥1.730110000+￥1.7064 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia46175+￥2.106025+￥1.950050+￥1.8408100+￥1.7940500+￥1.76282500+￥1.72385000+￥1.708210000+￥1.6848 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia3302 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia488510+￥0.985550+￥0.9344100+￥0.8979300+￥0.8760500+￥0.85411000+￥0.83222500+￥0.79945000+￥0.7921 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia20155+￥2.052025+￥1.900050+￥1.7936100+￥1.7480500+￥1.71762500+￥1.67965000+￥1.664410000+￥1.6416 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia348710+￥0.877550+￥0.8320100+￥0.7995300+￥0.7800500+￥0.76051000+￥0.74102500+￥0.71185000+￥0.7053
